"중국 국유기업 D램 양산 준비 진전"... '마이크론 덫' 걸리나

입력 2019.06.07 10:58

허페이창신 "연구개발 마무리...올해 일부 라인 생산 목표"
美 마이크론 공정 복제 의혹...푸젠진화처럼 제재 당할지 주목

중국 정부가 키우는 3대 메모리반도체 업체중 하나인 허페이창신(合肥長鑫)이 미⋅중 무역전쟁에도 D램 생산 준비에서 진척을 보이고 있다는 분석이 제기됐다. 하지만 미국 마이크론의 공정라인을 기초로 생산을 준비중인 것으로 알려져 앞날이 불투명하다는 지적도 나온다.

6일 시장조사업체 트렌드포스의 반도체 전문 부서인 D램익스체인지이 전한 중국 안후이성(安徽省)정부의 ‘2019년 성급 중대 프로젝트 조정 계획’이란 문건을 보면 허페이창신이 추진중인 12인치 웨이퍼 생산라인 프로젝트가 진전을 보였다는 평가 결과가 적시됐다. 이 문건은 이 프로젝트를 1기 연구개발 단계가 모두 마무리됐으며 테스트 결과가 좋게 나와 양산 준비작업을 진행중이라고 소개했다.

허페이 경제개발구에 12인이치 웨이퍼를 연간 150만장 생산할 수 있는 라인을 까는 프로젝트로 2017년 3월 공장을 착공했다. 지난해까지 191억 3000만위안(약 3조 2500억원)이 투자됐고, 올해는 50억위안(약 8500억원)이 추가 투자될 예정이다. 총 투자규모는 534억위안(약 9조 780억원)이다. 이 문건은 허페이창신이 일부 생산라인 가동을 올해 목표로 정했다고 전했다.

중국 신화통신은 시진핑 국가주석이 2018년 4월 우한의 반도체회사 XMC를 시찰하면서 핵심기술의 자력갱생을 강조했다고 보도했다.XMC는 중국 토종 기업으로 처음 낸드 플래시 메모리 양산을 추진중인 창장메모리에 기술을 제공하는 계열사다. /신화망
중국 신화통신은 시진핑 국가주석이 2018년 4월 우한의 반도체회사 XMC를 시찰하면서 핵심기술의 자력갱생을 강조했다고 보도했다.XMC는 중국 토종 기업으로 처음 낸드 플래시 메모리 양산을 추진중인 창장메모리에 기술을 제공하는 계열사다. /신화망
D램 양산이 순탄치만은 않을 것이라는 관측도 적지 않다. 글로벌 반도체 업계에선 허페이창신이 마이크론의 23㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m)급인 ‘100S’를 옳겨온 것으로 보고 있다. 때문에 마이크론의 28㎚급 ‘90S’공정을 베낀 것으로 전해진 또 다른 중국 D램 반도체 업체 푸젠진화(福建晋华)가 지식재산권 침해 소송에서 져 작년 10월 미국 기업과의 거래가 제한되는 제재를 당해 존폐의 기로에 몰린 상황이 재연될 수 있다는 관측이 나온다. 푸젠진화가 공격을 받은 건 공정개발 완료 등 프로젝트 진전을 발표하고 나서다.

반면 중국은 현재 삼성전자 하이닉스 등과 함께 마이크론을 작년부터 반독점법 위반 혐의로 조사를 하고 있어 미국의 중국 반도체 굴기 억제를 견제할 카드를 갖고 있다는 지적도 있다. 마이크론은 화웨이에 반도체 공급을 중단하기로 해 중국 정부가 미국의 제재에 맞서 마련중인 외국기업 블랙리스트 후보로도 거론된다. 중국은 특히 자국의 희토류 자원을 이용해 중국을 억제하는 것을 용납하지 않겠다는 입장을 천명하는 등 이를 재료로 사용하는 마이크론을 겨냥해 희토류 수출 중단 카드를 흔들고 있다.

허페이창신 푸젠진화와 함께 중국 3대 국유 메모리 반도체기업인 창장메모리(YMTC)는 올해 하반기에 64단 3D 낸드플래시 메모리 양산을 계획하고 있다. 창장메모리 최고기술담당임원(CTO)과 중국 공업신식화부 부부장(차관)이 올들어 이같은 계획을 거듭 밝혔다. 왕즈쥔(王志軍) 공신부 부부장은 지난 5월 25일 신화통신 등 관영매체와의 공동 인터뷰에서 이같이 확인하고 "중국 메모리 반도체의 초보적인 구도가 형성됐다"고 자평했다.

왕 부부장은 중국의 반도체 굴기를 억제하려는 미국의 조치에 강한 불만을 숨기지 않았다. 그는 "어떤 국가도 혼자서 반도체 산업을 발전시킬 수 없다"며 "최근 미국의 일련의 조치가 폭력적으로 국제 반도체 산업의 정상질서에 간섭하고 국제분업시스템을 망가뜨려 자원배치 효율과 산업발전속도를 끌어내리고 있다"고 주장했다.

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