삼성전자는 4일 세계 최초로 40나노(1나노=10억 분의 1미터)급 미세 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다고 밝혔다.
40나노 기술은 사람 머리카락의 2500~3000분의 1 굵기로 작업을 하는 초(超)미세 가공기술. 이 공정 기술을 적용하면 현재 삼성전자의 주력 공정 기술인 50나노 공정에 비해 생산성을 60% 정도 향상시킬 수 있다. 또 40나노급 D램은 50나노급 D램보다 전력 사용량을 30% 이상 줄일 수 있다. D램은 PC 등 주요 IT 제품의 기억장치로 쓰인다.
삼성전자는 이로써 2005년 60나노급 D램을 세계 첫 개발한 데 이어 2006년 50나노급, 올해 40나노급 D램 제품을 잇달아 개발하며 반도체 공정 기술의 우위를 입증했다.
삼성전자는 올해 안으로 40나노 공정기술을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램의 개발을 완료하고 본격 양산할 방침이다. 제품 양산은 데이터 처리 속도가 빠른 DDR3 D램부터 시작해 경쟁사와의 격차를 확실하게 벌리겠다는 의도다.
