국내 연구진이 전원이 끊겨도 정보가 지워지지 않는 플래시메모리와 동작속도가 빠르고 읽기 및 쓰기가 자유로운 DRAM의 장점을 합쳐 하나의 메모리 트랜지스터에서 작동하게 한 차세대 퓨전메모리(Unified-RAM)를 개발했다.
KAIST 전자전산학과 최양규(42) 교수팀과 나노종합팹센터는 14일 기존 플래시메모리와 DRAM이 한 개의 메모리 트랜지스터에서 복합 기능을 수행, 제작비용은 줄이고 집적도는 높인 차세대 퓨전메모리(URAM)를 개발했다고 밝혔다.
URAM은 메모리 트랜지스터 하나로 DRAM 기능과 플래시메모리 기능을 모두 수행할 수 있게 한 반도체 소자로 DRAM과 플래시메모리 등 서로 다른 칩을 차례로 쌓아 만든 멀티칩 패키지 형태의 기존 퓨전메모리와는 근본적으로 다르다.
멀티칩 패키지 형태의 기존 퓨전메모리는 각각의 칩을 여러 개 사용할 때보다 면적을 줄이는 효과는 있지만 제작비용을 낮추는 데에는 한계가 있었다.
사진설명 URAM 소자 구조 그림.
최 교수팀은 DRAM과 플래시메모리의 동작전압 영역이 서로 다른 점에 착안해 트랜지스터 몸통 안(floating body)에 DRAM을 구현하고 그 몸통 위에 게이트와 절연막 구조(SONOS) 구조를 결합시키는 방식으로 차세대 퓨전메모리를 개발했다.
연구진은 URAM에 적용된 3차원 나노구조 제작기술과 절연막(SONOS) 형성기술은 현재 사용되는 표준 반도체 설계 및 공정기술을 그대로 이용할 수 있어 개발기간을 단축할 수 있고 추가적인 비용 투자도 필요하지 않다고 밝혔다.
이들은 앞으로 디지털 카메라와 PDA, 게임기, 휴대전화 등에 URAM 채택이 가속화될 것으로 전망하고 전체 반도체시장에서 퓨전메모리 시장점유율을 5%로 가정할 때 URAM의 시장규모가 2010년 150억 달러, 2015년 204억 달러로 커질 것으로 예상하고 있다.
최 교수는 “URAM은 디지털 TV, 휴대용 정보기기 등의 발달에 따른 다기능, 고성능화에 대응할 수 있는 차세대 퓨전메모리로 이번 개발은 반도체 메모리분야의 원천기술과 실용성을 동시에 확보했다는 데 의의가 있다”며 “기술적으로 2~3년 안에 상용화가 가능할 것”이라고 말했다.
KAIST 전자전산학과 최양규 교수
입력 : 2008.07.14 10:57